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삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 고대역폭메모리(HBM) 생산의 핵심인 하이브리드 본딩 기술 도입 시점을 두고 전략적 판단을 이어가고 있습니다.

하이브리드 본딩 도입 지연 배경

반도체 업계에 따르면 국내 메모리 양대 산맥인 삼성전자와 SK하이닉스는 하이브리드 본딩 도입에 신중한 태도를 보이고 있습니다. 당초 하이브리드 본딩은 HBM의 두께 감소와 방열 성능 강화를 위한 핵심 기술로 주목받았습니다.

하지만 최근 HBM 적층 구조가 고도화되는 과정에서 기존 방식의 개선만으로도 물리적 한계를 일정 부분 극복할 수 있다는 분석이 나오면서 기술 도입의 시급성이 낮아졌다는 평가가 나옵니다. 이는 막대한 설비 투자 비용과 공정 난이도를 고려할 때 기업 입장에서 경제적 효율성을 우선시한 결과로 풀이됩니다.

I/O 단자 수 증가가 변수

전문가들은 향후 HBM의 I/O(입출력단자) 수가 급격히 증가하는 시점이 하이브리드 본딩 도입의 분수령이 될 것으로 전망하고 있습니다. 데이터 전송 효율을 높이기 위해 입출력단자가 폭증하게 되면 기존의 범프(Bump) 방식으로는 미세 공정을 구현하는 데 한계에 부딪힐 수 있기 때문입니다.

• 두께 최적화: 적층 수가 늘어날수록 칩 전체 높이를 낮추는 기술적 요구 증가
• 방열 효율: 고성능 연산 시 발생하는 열을 제어하기 위한 열전도율 확보
• 데이터 대역폭: 입출력단자 밀도 상승에 따른 초미세 본딩 공정 필요성

결국 하이브리드 본딩은 단순히 적층 수를 늘리는 단계를 넘어, 데이터 전송 통로의 밀도를 극한으로 끌어올려야 하는 시점에 필수적인 기술로 재부상할 가능성이 높습니다. 삼성전자와 SK하이닉스는 차세대 제품 로드맵에 맞춰 기술적 필요성과 투자 적정성을 동시에 검토하며 대응책을 마련 중입니다.